发布日期：2026-03-20 08:37点击次数：69
今日存储芯片股强势涨市场胡杨河泡沫板专用胶厂，其中港股半体标的与韩股存储巨头联动上扬。
截至发稿，澜起科技(06809.HK)涨6.09、兆易创新(03896.HK)涨3.01。
同期挂钩韩国芯片龙头的杠杆ETF同步飙升，两倍做多海力士(07709.HK)涨18.50、两倍做多三星电子(07747.HK)涨12.54。
先来看下韩股面，韩国综股价指数开盘涨5，截至发稿涨6，三星电子、SK海力士分别大涨9.80、13.14，成为市场核心驱动力。
核心催化：英伟达HBM4供应格局落地胡杨河泡沫板专用胶厂，量产时点与GTC大会共振
英伟达下代AI加速器“Vera Rubin”带宽内存(HBM4)供应链已明确：三星电子与SK海力士双双入选核心供应商。鉴于HBM4从晶圆制造至封装完成周期六个月，两厂商预计快于本月启动量产，时间节点与3月17日开幕的英伟达GTC大会度契，市场对新品技术细节与供应链动向度关注。
据行业消息，SK海力士将承接英伟达2026年包括HBM3E在内的逾半数HBM总供应量；三星电子则有望主Vera Rubin属HBM4业务。
集邦咨询预测，2026年SK海力士全球HBM比特产出份额为50，较2025年59回落；三星份额由20升至28，泡沫板橡塑板专用胶技术追赶与份额争夺态势显著。
价格走势：存储芯片延续强势胡杨河泡沫板专用胶厂，原厂控价能力凸显
2026年2月回顾：NAND涨势强劲，DRAM涨幅收窄
DRAM：现货价环比波动于-3至+12；DDR5-8Gb/DDR4-8Gb约价分别环比+4、+8，涨幅较1月明显趋缓。
NAND Flash：现货价环比+10至+26，约价大幅上行37至67，供需紧张持续。
需求展望：原厂集体释放乐观信号，AI力基建成核心引擎
SK海力士：预计2026年DRAM与NAND比特需求同比增速分别20、15至20；当前库存仅约4周，坦言“全年客户需求法满足”。
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铠侠：指出NAND中长期需求将以约20CAGR增长；大规模云服务商长期协议已锁定至2027–2028年；2026年Q1营收指引环比增长55至72，显著预期。
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