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在 AI 力需求激增与供给持续受限的双重作用下山西万能胶生产厂家，内存行业正进入轮罕见的景气周期与盈利重估阶段。
花旗分析师 Atif Malik 在 5 月 18 日发布的报告中，将美光科技目标价从 425 美元大幅上调至 840 美元，涨幅接近翻倍，并维持"买入"评。此次上调的核心逻辑在于 DRAM 周期正加速进入价格弹释放阶段。
报告指出，带宽内存（HBM）供给持续紧张，预计 2027 年定价仍有上行空间。由于生产 HBM 需消耗普通 DRAM 晶圆产能的 3 至 4 倍，HBM 的持续扩产将挤占普通 DRAM 的供给，进而动后者价格上行。在具体提价节奏上，三星已于 2026 年季度率先提价，美光则计划在 2026 年二季度跟进上调约 40。
基于价格上行趋势，花旗同步上调美光盈利预测：2026 财年核心每股收益（EPS）上调约 10 至 58.46 美元，2027 财年进步上调至 104.56 美元。新目标价 840 美元锚定在 2027 年预期每股收益的约 8 倍。
DRAM 涨价浪潮加速，美光跟进三星步伐
当前 DRAM 涨价浪潮已展开。三星于 2026 年季度率先提价 ，美光则计划在 2026 年二季度跟进，上调约 40。
本轮涨价主要由普通商用 DRAM（非 HBM）的供需缺口驱动。设备厂商应用材料（AMAT）的硅系统销售展望显示，DRAM 比应增速预计到 2026 年底仅为 30 左右山西万能胶生产厂家，这增量仍法满足 2027 年 AI 数据中心的需求扩张，未来需额外投入新晶圆产能。
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花旗预计，2026 年 DRAM 均价同比上涨约 200，NAND 价格同比上涨约 186，这进步印证当前内存行业正处于历史强定价周期。
HBM 供应持续偏紧，2027 年涨价预期升温
HBM 定价前景是美光估值上调的核心逻辑之。
生产 HBM 所需消耗的晶圆产能约为普通 DRAM 的 3 至 4 倍。而当前 HBM 与商用内存之间的盈利差距，pvc管道管件胶尚不足以驱动内存厂商大规模转换或新增产能。因此，厂商在供给端普遍保持克制，致 HBM 供应持续偏紧。
预计在供给受限格局下，2027 年 HBM 定价仍有上行空间。同时，内存厂商将继续维持自律供给管理，以避 AI 数据中心因成本过而削减 HBM 采购量。
不过，需求端风险亦不容忽视。思科（Cisco）已因涨价压力，在包括线产品在内的 20 余个产品线中削减 50 的 DRAM 用量。这案例表明，过的内存价格可能抑制部分终端需求，内存厂商需在涨价节奏与需求维系之间寻求平衡。
目标价大幅上调，估值锚定历史涨价周期
花旗将美光目标价从 425 美元上调至 840 美元，估值倍数从 2027 年预期每股收益的 5 倍提至 8 倍，理由是当前定价环境且 AI 需求强劲。该估值水平与美光历史 DRAM 上行周期的交易区间致。
报告预计，美光 2027 财年核心每股收益为 104.56 美元，2028 财年回落至 80.49 美元，已反映周期回调预期。2027 财年自由现金流预计达 879.31 亿美元，自由现金流收益率约 10.6。
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